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      Product laser

      產(chǎn)品中心
      晶圓激光隱切設(shè)備
      產(chǎn)品簡介
      該設(shè)備可通過精密控制及激光內(nèi)部改質(zhì)技術(shù),使得晶圓切割后裂片擴(kuò)膜成單顆小芯片,以便實(shí)現(xiàn)后續(xù)的晶圓封測。
      產(chǎn)品特點(diǎn)

      兼容性好,可同時(shí)切割4~12寸及不同厚度的晶圓

      支持藍(lán)寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質(zhì)

      良好的定位精度及重復(fù)定位精度

      切割質(zhì)量高,直線度好,無崩邊、裂痕

      切割區(qū)域影響小,切割道≤20μm

      應(yīng)用領(lǐng)域
      半導(dǎo)體芯片封裝
      技術(shù)指標(biāo)
      設(shè)備型號(hào) DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
      設(shè)備尺寸 1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
      適用晶圓尺寸 6寸及以下 8寸、12
      適用晶圓厚度 60μm to 400μm
      平臺(tái)精度 重復(fù)定位精度≤ ±1μm;定位精度<±3μm
      直線度  5 μm
      切割路徑寬度  20 μm
      TTV  10 μm  15 μm
      應(yīng)用案例
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